FDJ局部放电检测仪是按照DL/T846.4-2004《高电压测试设备通用技术条件》、GB/T 7354-2003《局部放电测量》开发的， 产品参考标准：IEC 61730:2-2004"局部放电试验"，用于晶体硅组件TPT背膜检测。

一、功能特点

1、测量功能：可检测局部放电幅值、极性、相位、放电起始电压、熄灭电压、次数等相关参数。

2、同步功能：内、外同步任意选择，且具有零标指示和相位分辨功能。

3、显示方式：可选择椭圆、直线、正弦及二维、三维等界面显示局部放电信号，可直观的分析测试过程中信号的频率、相位、幅度以及试验电压之间的相互关系。

4、局部放大：可对单个或某一段放电信号进行波形分析，确定信号的性质。

5、同步消隐：在配合阻抗单元和耦合电容的情况下，可对来自地网、试验电源和试验现场空间的干扰进行同步滤除。

6、极性鉴别：可通过放电信号的脉冲极性区分，是试品内部，还是外部的放电，有效去除外部干扰。

7、频谱分析：基于FFT算法实现的频谱分析与FIR数字滤波功能。

8、增益可调：在量程切换跨度内，实现增益连续可调。

9、保存打印：可保存单次放电的数据，也可记录一段时间的局部放电图形及相关参数，保存的数据可回放和重现方便后期分析。对单次放电的数据提供打印功能。

二、技术指标

  1、测量通道：独立通道；

  2、检测灵敏度：0.5pC；

  3、采样精度：12位；

  4、采样速率：12.5m/s；

  5、测量范围：0.5pC～1μC；

  6、量程线性度误差：优于±5%；

  7、量程切换：／10、×1、×10、×100；

  8、试品电容量范围：6pF~250μF；

  9、测量频带：10kHz~1MHz；

  10、程控滤波：

          低端频率：20kHz，40kHz，60kHz，80kHz；

          高端频率：100kHz，200kHz，300kHz，400kHz；

          数字滤波：10kHz~1MHz可选；

  11、试验电源频率：30~300Hz；

  12、工作环境：环境温度：-10～45℃相对湿度：≤95%；

  13、电源：AC220V；频率50Hz。

三、界面显示